新聞/產業
交大研發高頻電晶體 打破世界紀錄
2013/04/16 · 記者 姚惠茹
國立交通大學研發710GHz的砷化銦電子遷移率電晶體,原件速度打破紀錄,成為世界第一,研究成果登上世界著名的半導體期刊Applied Physics Express。
由交大研發長張翼教授所率領的研發團隊,包含元智大學許恒通教授及東京工業大學宮本恭幸教授,共同開發出世界最高Ft~710GHz的砷化銦電子遷移率電晶體,其成功關鍵就在於漢民科技捐贈的「電子束直寫式微影設備」,讓高頻微電子在研發上大幅邁進,使得元件尺寸可大幅縮小到奈米尺度,有助於高頻元件的研發。
交大研發長張翼教授表示,3C產品講究體積小、速度快,其中影響速度的元件就是電晶體,因此研究團隊成功開發出頻率可達710 GHz的砷化銦高電子遷移率電晶體,頻率打破以往的640GHz,速度世界第一,尺寸也可小到40奈米。
未來也將應在生醫檢測、影像雷達、太空偵測等領域,能提升成像品質和解析度,看得更清楚,並已和日本Panasonic、美國Quinstar簽訂產學合作計畫,讓電晶體能實際應用在產品中。
由交大研發長張翼教授所率領的研發團隊,包含元智大學許恒通教授及東京工業大學宮本恭幸教授,共同開發出世界最高Ft~710GHz的砷化銦電子遷移率電晶體,其成功關鍵就在於漢民科技捐贈的「電子束直寫式微影設備」,讓高頻微電子在研發上大幅邁進,使得元件尺寸可大幅縮小到奈米尺度,有助於高頻元件的研發。
交大研發長張翼教授表示,3C產品講究體積小、速度快,其中影響速度的元件就是電晶體,因此研究團隊成功開發出頻率可達710 GHz的砷化銦高電子遷移率電晶體,頻率打破以往的640GHz,速度世界第一,尺寸也可小到40奈米。
未來也將應在生醫檢測、影像雷達、太空偵測等領域,能提升成像品質和解析度,看得更清楚,並已和日本Panasonic、美國Quinstar簽訂產學合作計畫,讓電晶體能實際應用在產品中。