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宜特在IC失效研究於IPFA論壇發表
2013/05/22 · 記者 姚惠茹
iST集團-宜特‧宜碩研發成果再添佳績! iST16日宣佈，台灣宜特總部與子公司上海宜碩，從全球箇中好手脫穎而出，高達三篇研究成果，獲選進入IEEE等級、半導體故障分析領域最高殿堂IPFA 2013 (International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, 集成電路失效分析論壇)發表研究成果。
IPFA為IEEE於1985年成立，至今已發展為世界舉足輕重的可靠性與失效分析會議組織。今年，第20屆IPFA國際會議，將於 7月15-19號大陸蘇州舉行，宜特將在此會議中， 以IC質量為主軸，分別探討「3DIC微凸塊失效觀察」、「IC電磁輻射消除」與「EOS 脈衝波過電保護」三方面。
在3DIC 方面，iST研究出兩種克服的方式，其一是利用研磨技術將3DIC微凸塊(u-bump)失效區域定位，並搭配聚焦離子束顯微鏡(FIB)，將其失效微凸塊切削進行斷面觀察；其二是擴大可觀察的微凸塊範圍，從100um提升至3000um，此兩項技術亦可使用在3DIC的矽穿孔(TSV)結構觀察。
而在IC電磁輻射消除的研究上，iST藉由傳統與專利研發的新型FIB搭配，將任意電容值的電容放置於IC晶片上，並與IC內部的訊號節點作連結。藉此方法，客戶不需重新投片，即可找到電磁輻射源頭並加以消除，提供IC設計者一種CP值極高的IC EMI解決方案。
在「EOS 脈衝波過電保護」上，iST藉由脈衝波模擬不同製程的IC上電，從其產生的過度電性應力(EOS)機制進行研究，在這當中，發現EOS耐受能力與脈衝時間存在「線性關係」，同時也發現IC製程本身閘氧崩潰與電壓有關。從此測試，亦可提供客戶簡易方式，來對元件進行抗受力測試，亦可對於元件過電保護，提供一個有效參考指標。
iST集團全球營運長林正德表示，iST此次在IC技術領域研究的卓進，也已經實際應用在客戶產品上有所成果，大幅縮短客戶產品開發驗證時程，使客戶可以快速邁向量產階段。
iST集團發言人 林榆桑進一步說明，此次台灣與上海實驗室共同進入IPFA的殿堂，亦代表 2013年宜特整合全球實驗室資源的第一步，iST將以全球完整的驗證測試鏈，提供客戶全方位的服務平台，協助客戶找出潛藏的風險 / 失效，強化IC性能，降低成本。
IPFA為IEEE於1985年成立，至今已發展為世界舉足輕重的可靠性與失效分析會議組織。今年，第20屆IPFA國際會議，將於 7月15-19號大陸蘇州舉行，宜特將在此會議中， 以IC質量為主軸，分別探討「3DIC微凸塊失效觀察」、「IC電磁輻射消除」與「EOS 脈衝波過電保護」三方面。
在3DIC 方面，iST研究出兩種克服的方式，其一是利用研磨技術將3DIC微凸塊(u-bump)失效區域定位，並搭配聚焦離子束顯微鏡(FIB)，將其失效微凸塊切削進行斷面觀察；其二是擴大可觀察的微凸塊範圍，從100um提升至3000um，此兩項技術亦可使用在3DIC的矽穿孔(TSV)結構觀察。
而在IC電磁輻射消除的研究上，iST藉由傳統與專利研發的新型FIB搭配，將任意電容值的電容放置於IC晶片上，並與IC內部的訊號節點作連結。藉此方法，客戶不需重新投片，即可找到電磁輻射源頭並加以消除，提供IC設計者一種CP值極高的IC EMI解決方案。
在「EOS 脈衝波過電保護」上，iST藉由脈衝波模擬不同製程的IC上電，從其產生的過度電性應力(EOS)機制進行研究，在這當中，發現EOS耐受能力與脈衝時間存在「線性關係」，同時也發現IC製程本身閘氧崩潰與電壓有關。從此測試，亦可提供客戶簡易方式，來對元件進行抗受力測試，亦可對於元件過電保護，提供一個有效參考指標。
iST集團全球營運長林正德表示，iST此次在IC技術領域研究的卓進，也已經實際應用在客戶產品上有所成果，大幅縮短客戶產品開發驗證時程，使客戶可以快速邁向量產階段。
iST集團發言人 林榆桑進一步說明，此次台灣與上海實驗室共同進入IPFA的殿堂，亦代表 2013年宜特整合全球實驗室資源的第一步，iST將以全球完整的驗證測試鏈，提供客戶全方位的服務平台，協助客戶找出潛藏的風險 / 失效，強化IC性能，降低成本。