財經關鍵字:極紫外光

台積電取得跨足10奈米以下先進製程最關鍵的極紫外光（EUV）機台，擺脫半導體摩爾定律可能受到的物理極限限制，成本還有再下降空間。
極紫外光（EUV）技術是次世代微影技術之一，被半導體視為跨入10奈米製程以下，取代傳統浸潤式曝光、進入18吋晶圓的一項重要微影技術。
浸潤式曝光機台是在光源與晶圓中間加入水的原理，使波長縮短到132奈米的微影技術，EUV曝光設備是利用波長極短的紫外線，在矽基板上刻出更微細的電路圖案。
EUV售價昂貴，一台售價高達9,000萬歐元（約新台幣36億元）。