為何第四類半導體未來10年內有機會與第三類半導體中的碳化矽(SiC)競爭?
2023/03/01 · 2023年03月01日 19:00~20:00 · 01:00:00 · 來賓 陽明交大講座教授 洪瑞華
播放後會在本站底部播放器收聽。 舊站累計收聽 2981 次。
自去年起，美國、日本陸續管制有「第四類半導體」之譽的氧化鎵（Ga2O3）出口至中國大陸，凸顯美日等國對第四類半導體產業地位的高度重視，並積極防堵陸企的發展。第四類半導體相較於第三類半導體，在基板製作上更容易，電力耗損僅有碳化矽(SiC)的十分之一，同時具備超寬能隙特性，使材料能承受更高電壓的崩潰電壓和臨界電場，在超高功率元件應用如新能源車、太陽能、風電、5G通訊、軌道交通等都極具潛力，未來商機無窮。
中國科學院院士郝躍今年初表示，氧化鎵材料是最有可能在未來大放異彩的材料之一，在未來10年左右，氧化鎵元件有可能成為有競爭力的電力電子元件，會直接與碳化矽元件競爭。台灣目前大學投入發展氧化鎵速度最快的是陽明交大，目前已與力積電、鼎元、閎康及合晶等公司進行產學合作，此外，由陽明交大電子研究所教授洪瑞華帶領的研究團隊，也與瑞典林雪坪大學（Linköping University，LiU）共同設立永續物質材料與元件研究中心，積極展開跨國際的合作。
中國科學院院士郝躍今年初表示，氧化鎵材料是最有可能在未來大放異彩的材料之一，在未來10年左右，氧化鎵元件有可能成為有競爭力的電力電子元件，會直接與碳化矽元件競爭。台灣目前大學投入發展氧化鎵速度最快的是陽明交大，目前已與力積電、鼎元、閎康及合晶等公司進行產學合作，此外，由陽明交大電子研究所教授洪瑞華帶領的研究團隊，也與瑞典林雪坪大學（Linköping University，LiU）共同設立永續物質材料與元件研究中心，積極展開跨國際的合作。